24V 100Ah लिथियम आयन बैटरी

एक प्रभावी बनावट संरचना शॉर्ट सर्किट करंट को बढ़ा सकती है, जिससे सौर सेल के प्रदर्शन में सुधार होता है। इस पेपर में सबसे पहले HF/HNO3/H2O सिस्टम में सिलिकॉन वेफर्स के संक्षारण व्यवहार का विवरण दिया गया है। नक़्क़ाशी समाधान अनुपात, तापमान और समय को अलग करके, संक्षारण दर, सिलिकॉन वेफर परावर्तन और सेल आउटपुट मापदंडों की जांच की गई। प्रयोगों में पाया गया कि संक्षारण दर पहले बढ़ी और फिर HF/HNO3/H2O प्रणाली में HF सामग्री बढ़ने के साथ घटी, और बढ़ते तापमान के साथ बढ़ी। परावर्तनशीलता के संबंध में, 3:1 के HF:HNO3 अनुपात ने सिलिकॉन वेफर्स के लिए सबसे कम परावर्तनशीलता उत्पन्न की। हालाँकि, PECVD एंटी-रिफ्लेक्शन कोटिंग के बाद, अन्य नक़्क़ाशी स्थितियों के तहत तैयार किए गए वेफर्स की तुलना में यह लाभ थोड़ा कम हो गया। सेल आउटपुट मापदंडों के संबंध में, 3:1 के HF:HNO3 अनुपात ने कम दक्षता प्रदर्शित की, जबकि 1:5 के HF:HNO3 अनुपात ने, थोड़ी अधिक परावर्तनशीलता के साथ, उच्चतम दक्षता हासिल की। HF/HNO₃/H₂O प्रणाली में सिलिकॉन वेफर्स के संक्षारण व्यवहार पर शोध के आधार पर, यह पेपर माध्यमिक एसिड नक़्क़ाशी से युक्त एक उपन्यास बनावट विधि का प्रस्ताव करता है, जो पारंपरिक उत्पादन प्रक्रियाओं से अलग है। प्रारंभ में, सिलिकॉन वेफर एक HNO₃-समृद्ध वगैरह में प्राथमिक नक़्क़ाशी से गुजरता है, उसके बाद एक HF-रिच वगैरह में द्वितीयक नक़्क़ाशी से गुजरता है। यह विधि सतह की बनावट को अनुकूलित करती है और सिलिकॉन सतह पर प्रकाश प्रतिबिंब हानि को कम करती है। बनावट के बाद, सिलिकॉन वेफर्स की सतह आकृति विज्ञान का स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप (एसईएम) का उपयोग करके विश्लेषण किया गया था, और परावर्तन स्पेक्ट्रम को कैरी 5000 यूवी {{28} विज़ - एनआईआर स्पेक्ट्रोफोटोमीटर का उपयोग करके मापा गया था। द्वितीयक नक़्क़ाशी प्रक्रिया (एंटीरिफ्लेक्शन कोटिंग के बिना) की न्यूनतम परावर्तनशीलता 20.34% थी, जो प्राथमिक नक़्क़ाशी प्रक्रिया (22.70%) से 2.36% कम थी। इसके अलावा, नई माध्यमिक नक़्क़ाशी प्रक्रिया को सौर कोशिकाओं के औद्योगिक उत्पादन में लागू किया गया था, और सेल आउटपुट मापदंडों का विश्लेषण किया गया था। नतीजे बताते हैं कि खुले सर्किट वोल्टेज, शॉर्ट सर्किट करंट और सेकेंडरी एचिंग प्रक्रिया से उपचारित सौर कोशिकाओं की दक्षता में प्राथमिक नक़्क़ाशी प्रक्रिया का उपयोग करने वालों की तुलना में अलग-अलग डिग्री में सुधार हुआ है, उच्चतम दक्षता 15.45% तक पहुंच गई है।