लिथियम आयन पावरवॉल

आमतौर पर, क्रिस्टलीय सिलिकॉन सौर सेल 350-450μm मोटे उच्च गुणवत्ता वाले सिलिकॉन वेफर्स पर निर्मित होते हैं, जो खींचे गए या ढले हुए सिलिकॉन सिल्लियों से काटे जाते हैं।

उपरोक्त विधियाँ वास्तव में अधिक सिलिकॉन सामग्री की खपत करती हैं। सामग्री को संरक्षित करने के लिए, रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) वर्तमान में पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन पतली फिल्म कोशिकाओं का उत्पादन करने के लिए उपयोग की जाने वाली सबसे आम विधि है, जिसमें कम दबाव वाले रासायनिक वाष्प जमाव (एलपीसीवीडी) और प्लाज्मा - उन्नत रासायनिक वाष्प जमाव (पीईसीवीडी) शामिल हैं। पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन पतली फिल्म कोशिकाओं का उत्पादन करने के लिए तरल चरण एपिटैक्सी (एलपीपीई) और स्पटरिंग जमाव का भी उपयोग किया जा सकता है।

CVD मुख्य रूप से प्रतिक्रियाशील गैस के रूप में SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4, या SiH4 का उपयोग करता है। एक सुरक्षात्मक वातावरण के तहत, सिलिकॉन परमाणु प्रतिक्रिया करके सिलिकॉन परमाणु बनाते हैं, जो फिर एक गर्म सब्सट्रेट पर जमा हो जाते हैं। सब्सट्रेट सामग्री में आमतौर पर Si, SiO2 और Si3N4 शामिल होते हैं। हालाँकि, शोध से पता चला है कि गैर-सिलिकॉन सब्सट्रेट पर बड़े अनाज बनाना मुश्किल है, और अनाज के बीच अंतराल आसानी से बन जाते हैं।

इस समस्या का समाधान यह है कि पहले एलपीसीवीडी का उपयोग करके एक सब्सट्रेट पर अनाकार सिलिकॉन की एक पतली परत जमा की जाए, फिर बड़े अनाज का उत्पादन करने के लिए इस परत को नष्ट कर दिया जाए। फिर इस बीज क्रिस्टल पर मोटी पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन पतली फिल्में जमा की जाती हैं। इसलिए, पुनर्क्रिस्टलीकरण तकनीक निस्संदेह एक महत्वपूर्ण कदम है। वर्तमान में, उपयोग की जाने वाली मुख्य प्रौद्योगिकियाँ ठोस चरण क्रिस्टलीकरण और मध्य क्षेत्र पिघलन पुनर्क्रिस्टलीकरण हैं। पुनर्क्रिस्टलीकरण प्रक्रिया के अलावा, पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन पतली फिल्म कोशिकाएं एकल क्रिस्टलीय सिलिकॉन सौर कोशिकाओं के निर्माण के लिए उपयोग की जाने वाली लगभग सभी तकनीकों का भी उपयोग करती हैं। इससे परिणामी सौर कोशिकाओं की रूपांतरण दक्षता में उल्लेखनीय सुधार होता है।